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SK海力士:采用EUV技术的第四代10纳米级DRAM开始量产

2021-11-16 15:35 作者: 来源: 本站 浏览: 37次 字号:

摘要:   7 月 12 日消息 SK 海力士在其官网宣布,公司的第四代 10 纳米(1a)级工艺的 8Gigabit(Gb) LPDDR4 移动端 DRAM(动态随机存储器)产品已经在今年 7 月初开始量产。   这是 SK 海力士首次采用 EUV 技术进行 DR...

  7 月 12 日消息 SK 海力士在其官网宣布,公司的第四代 10 纳米(1a)级工艺的 8Gigabit(Gb) LPDDR4 移动端 DRAM(动态随机存储器)产品已经在今年 7 月初开始量产。

  这是 SK 海力士首次采用 EUV 技术进行 DRAM 产品的量产。SK 海力士预计从下半年开始向智能手机厂商供应采用 1a 纳米级技术的移动端 DRAM。

  Strategy Analytics 机构最新的研究报告显示,2021 年第一季度,全球智能手机存储芯片市场总销售额达到 114 亿美元,同比增长 21%。

  其中,三星以以 49% 的市场份额排名第一,SK 海力士排名第二,美光位列第三。