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陈星弼院士去世曾入选ISPSD名人堂陈星弼人物生平贡献成就介绍

2021-11-09 22:25 作者: 来源: 本站 浏览: 19次 字号:

摘要:   陈星弼院士去世曾入选ISPSD名人堂 陈星弼人物生平贡献成就介绍   陈星弼院士去世,中国功率器件领路人陈星弼院士于12月4日在成都逝世,享年89岁。陈星弼是国际半导体界著名的超结构的发明人,该发明被称为功率器件的新里程碑。他曾说,能够在短促的人生中,以科...

  陈星弼院士去世曾入选ISPSD名人堂 陈星弼人物生平贡献成就介绍

  陈星弼院士去世,中国功率器件领路人陈星弼院士于12月4日在成都逝世,享年89岁。陈星弼是国际半导体界著名的超结构的发明人,该发明被称为功率器件的新里程碑。他曾说,能够在短促的人生中,以科学服务人类,这就是我此生不倦追求。希望有更多的青年献身科研,成为服务国家科研发展的脊梁。走好!

  2019年12月4日17时10分,中国功率器件领路人陈星弼在四川成都逝世,享年89岁。陈星弼,1931年1月出生于上海,1952年毕业于国立同济大学电机系,先后在厦门大学、南京工学院及中国科学院物理研究所工作,1956年开始在电子科技大学任教,1999年当选中国科学院院士。他是国际半导体界著名的超结结构(Super Junction)的发明人,该发明被称为功率器件的新里程碑。2018年,在功率半导体领域最顶级的学术年会上,陈星弼院士入选ISPSD首届名人堂,成为国内首位入选名人堂的华人科学家。

  陈星弼是我国功率半导体领域的领路人和集大成者。他一生发表学术论文200余篇,获得中美等国专利授权40余项。他是国际上首个提出超结耐压层理论的科学家,他的超结发明专利打破传统硅极限,被国际学术界誉为高压功率器件新的里程碑。

  陈星弼曾获得国家技术发明奖、科技进步奖等诸多荣誉,2015年获得IEEE ISPSD(国际功率半导体器件与集成电路年会)颁发的最高荣誉国际功率半导体先驱奖,成为亚太地区首位获此殊荣的科学家。2018年入选IEEE ISPSD首届名人堂,成为首位入选名人堂的华人科学家。