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爆料称三星计划使用14nmFinFET工艺制造1.44亿像素传感器

2020-10-17 20:10 作者: 来源: 本站 浏览: 23次 字号:

摘要:   冰宇宙爆料称,三星计划使用14nm FinFET工艺制造1。44亿像素传感器。   冰宇宙曝出的图显示,手机CMOS图像传感器的市场趋势是递增的,传感器像素从小于1000万像素到大于1亿像素。三星希望在超过1亿像素密度的情况下使用14nm技术,辅以FinF...

  冰宇宙爆料称,三星计划使用14nm FinFET工艺制造1。44亿像素传感器。

  冰宇宙曝出的图显示,手机CMOS图像传感器的市场趋势是递增的,传感器像素从小于1000万像素到大于1亿像素。三星希望在超过1亿像素密度的情况下使用14nm技术,辅以FinFET工艺还能有效降低传感器的功耗。

  目前,暂无更多有关三星14nm FinFET工艺及1。44亿像素传感器的爆料消息。