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SK海力士提前量产128层1Tb计划将于2020年实现商用

2020-11-03 09:38 作者: 来源: 本站 浏览: 19次 字号:

摘要:   目前闪存技术正在不断升级迭代,各大闪存厂商为了升级容量降低原价,开始不断研发更高堆栈层数的闪存芯片。   近日据媒体报道,SK海力士宣布11月份向主要客户交付基于128层1Tb 4D NAND的工程样品,并比预期提前量产。本次样品包括1TB UFS 3。1...

  目前闪存技术正在不断升级迭代,各大闪存厂商为了升级容量降低原价,开始不断研发更高堆栈层数的闪存芯片。

  近日据媒体报道,SK海力士宣布11月份向主要客户交付基于128层1Tb 4D NAND的工程样品,并比预期提前量产。本次样品包括1TB UFS 3。1、2TB客户端cSSD、16TB企业级eSSD,计划将于2020年实现在5G手机、PC、企业级市场的商用。

  在今年上半年,三星和SK海力士率先公开发布128层3D NAND,相较于96层3D NAND具有更高的容量以及更明显的成本优势。

  除了三星、SK海力士,西部数据/铠侠、美光/英特尔等也研发了128层3D NAND,将正式打开TB级产品普及的战局。